4 月 18 日讯，受到半导体市场低迷的影响，2019光刻胶、辅助材料的全球市场出现了负增长；2020 年虽然有新冠肺炎的影响，但预测会转为正增长。

据预测，主要的 G-Line/I-Line、DUV 光刻胶的 2020 年的市场规模继 2018 年之后，会再次超过 16 亿美元（约人民币 112 亿元）。另一方面，EUV光刻胶的市场规模在 2020 年超过 1,000 万美元（约人民币 7,000 万元），到 2023 年年平均增长率预计达到 50%以上，但是从当前的 EUV 光蚀刻胶的整体市场来看，EUV 光刻胶的占比不足 1%。

近几年不同的新 EUV 光刻胶技术陆续问世，例如也是液态式的金属氧化物光刻胶，或是干式的光刻胶等，在整个半导体产业链生态中，这是一次材料革新带来的巨大商机。

美国有一家材料商 Inpria 就很积极投入 EUV 光刻胶技术，这是一家 2007 年从俄勒冈州立大学化学研究所独立出来的公司，传出之后获得许多半导体公司如三星、英特尔等投资。

Inpria 是研发负性光刻胶，其分子大小是 CAR 有机光刻胶的 5 分之 1，重点是光吸收率可达 CAR 的 4〜5 倍，因此能更精密、更准确地让电路图形成形。

主要是因为，2019 年日本对韩国进行 EUV 光刻胶的出口管制，让韩国的半导体公司为了寻找替代和创新的解决方案的态度比其他半导体大厂是更加积极。

根据估计，韩国半导体有 90％ 以上的光刻胶技术是仰赖日本供应，EUV 光刻胶也同样是高度仰赖日商。

三星和台积电是全球迁移引入 EUV 工艺的两大半导体厂，双方从 7nm 一路缠斗至今，台积电都是一路领先，未来要决胜 3nm 工艺节点，三星必须要在材料上有完全把握，才能再次一宣战。

根据调研机构 IC Insights 统计，尺寸小于 10 nm 的半导体产量将从 2019 年的每月 105 万片晶圆，增加到 2023 年每月 627 万片，且未来几年内 EUV 将主导 7nm 以下的大部分工艺技术。

7nm 以下先进工艺的产能大增，也代表整个业界对于新的 EUV 光刻胶技术，以及不同来源的材料需求更为迫切。

近期还有一种新的 EUV 光刻胶技术，也备受关注，由 Lam Research 和光刻机龙头 ASML 、比利时微电子中心 imec 联手研发，提出了一种全新的 EUV 干式光刻胶技术，目的是取代传统的 CAR 光刻胶，这对于半导体工艺的演进，可能会是一个巨大的突破。

Lam Research 执行副总裁兼首席技术官 Rick Gottscho 表示，这个新技术的优势在于提升 EUV 的敏锐度和分辨率，更可以减少原本 5〜10 倍的光刻胶使用量，在成本节约上带来显著成果。

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